Pressurization type method for manufacturing metal monoatomic layer, metal monoatomic layer structure, and pressurization type apparatus for manufacturing metal monoatomic layer

WO2017188785 Art A1 2. November 2017

Anmelder: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017188785
Aktenzeichen: EP17789969
Anmeldetag: 28. April 2017
Veröffentlichung: 2. November 2017
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/455C23C16/44C23C16/52C23C16/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)

Die IUCF-HYU verwaltet Forschungsergebnisse und Patente der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um anorganische Chemie und Software. Anmeldungen reichen von 2002 bis 2025.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von