Two-dimensional sheath layer numerical simulation method and system for dual-frequency capacitively coupled plasma etching

WO2017193367 Art A1 16. November 2017

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017193367
Aktenzeichen: EP16901322
Anmeldetag: 13. Mai 2016
Veröffentlichung: 16. November 2017
Rechtsraum: WO
IPC: G06F17/50

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Software & Datenverarbeitung

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