Method for manufacturing semiconductor device

WO2017195517 Art A1 16. November 2017

Anmelder: Hitachi Chemical Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017195517
Aktenzeichen: EP17795878
Anmeldetag: 10. April 2017
Veröffentlichung: 16. November 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/60C09J4/02C09J11/06C09J163/00C09J201/00H01L21/56

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Hitachi Chemical Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi Chemical

Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.

2.257 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von