Forming Non-Line-Of-Sight Source Drain Extension in an Nmos Finfet Using N-Doped Selective Epitaxial Growth

WO2017196482 Art A1 16. November 2017

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017196482
Aktenzeichen: EP17796535
Anmeldetag: 12. April 2017
Veröffentlichung: 16. November 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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