Etch mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process
WO2017196549
Art A1
16. November 2017
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017196549
- Aktenzeichen
- EP17796563
- Anmeldetag
- 27. April 2017
- Veröffentlichung
- 16. November 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/78H01L21/76H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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