Heterojunction Schottky Gate Bipolar Transistor

WO2017196835 Art A1 16. November 2017

Anmelder: Qatar University, The Texas A & M University System 🇶🇦

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017196835
Aktenzeichen: EP17796687
Anmeldetag: 9. Mai 2017
Veröffentlichung: 16. November 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L21/02H01L31/101

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Qatar University
The Texas A & M University System
Land: 🇶🇦 QA

🇺🇸 Texas A&M University System

Verbund staatlicher Hochschulen und Forschungseinrichtungen in Texas, USA, mit breiter Forschungstätigkeit unter anderem in Agrarwissenschaft, Technik und Medizin.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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