Array of cross point memory cells and methods of forming an array of cross point memory cells

WO2017196918 Art A1 16. November 2017

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017196918
Aktenzeichen: EP17796729
Anmeldetag: 10. Mai 2017
Veröffentlichung: 16. November 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11514G11C11/22G11C8/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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