Iii-nitride vertical transistor with aperture region formed using ion implantation

WO2017197179 Art A1 16. November 2017

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017197179
Aktenzeichen: EP17796883
Anmeldetag: 11. Mai 2017
Veröffentlichung: 16. November 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L21/265H01L21/324H01L29/778H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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