Composite oxide semiconductor and transistor

WO2017199130 Art A1 23. November 2017

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017199130
Aktenzeichen: EP17798841
Anmeldetag: 10. Mai 2017
Veröffentlichung: 23. November 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786C23C14/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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