Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing insulated gate semiconductor device

WO2017199580 Art A1 23. November 2017

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017199580
Aktenzeichen: EP17799014
Anmeldetag: 23. März 2017
Veröffentlichung: 23. November 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H03K17/567H01L29/739H01L29/78H02M1/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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