Metal nitride alloy contact for semiconductor

WO2017201063 Art A1 23. November 2017

Anmelder: The Government of the United States of America as represented by the Secretary of the Navy 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017201063
Aktenzeichen: EP17800024
Anmeldetag: 16. Mai 2017
Veröffentlichung: 23. November 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/47H01L29/66H01L29/872H01L29/778H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: The Government of the United States of America as represented by the Secretary of the Navy
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 The Government of the United States of America As Represented By the Secretary of the Navy

Dieser Anmelder steht für Patente der US-Marine, angemeldet über die Regierung der Vereinigten Staaten. Das Patentportfolio deckt breit Halbleiterbauelemente, Mess- und Prüftechnik sowie Optik- und Fototechnik für militärische und maritime Forschung ab. Anmeldungen sind seit 2000 dokumentiert.

496 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von