Oxide Semiconductor

WO2017204202 Art A1 30. November 2017

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017204202
Aktenzeichen: EP17802788
Anmeldetag: 23. Mai 2017
Veröffentlichung: 30. November 2017
Rechtsraum: WO
IPC: C01G35/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe

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