Wrap Around Gate Field Effect Transistor (wagfet)

WO2017205015 Art A1 30. November 2017

Anmelder: Northrop Grumman Systems Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017205015
Aktenzeichen: EP17723596
Anmeldetag: 3. Mai 2017
Veröffentlichung: 30. November 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/778H01L21/331

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Northrop Grumman Systems Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northrop Grumman

US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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