Laser exposure method capable of forming dual line, exposure apparatus, and method and apparatus for manufacturing fine pattern having dual line by using laser exposure method

WO2017209330 Art A1 7. Dezember 2017

Anmelder: Korea Research Institute Of Standards And Science 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017209330
Aktenzeichen: EP16904129
Anmeldetag: 7. Juni 2016
Veröffentlichung: 7. Dezember 2017
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/20G03F1/80

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Research Institute Of Standards And Science
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Research Institute of Standards and Science

Der Anmelder ist ein südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut für Metrologie mit Sitz in Daejeon, bekannt als KRISS. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik, ergänzt durch Halbleiterbauelemente, Software und Medizintechnik. Anmeldungen laufen seit 2002 durchgehend fort.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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