Memory circuitry comprising a vertical string of memory cells and a conductive via and method used in forming a vertical string of memory cells and a conductive via

WO2017209929 Art A1 7. Dezember 2017

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017209929
Aktenzeichen: EP17807203
Anmeldetag: 15. Mai 2017
Veröffentlichung: 7. Dezember 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/11582H01L27/1157H01L27/11573

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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