High pressure ammonia nitridation of tunnel oxide for 3dnand applications

WO2017210263 Art A1 7. Dezember 2017

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017210263
Aktenzeichen: EP17807377
Anmeldetag: 31. Mai 2017
Veröffentlichung: 7. Dezember 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02C23C8/36H01L21/28H01L21/67H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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