Method for manufacturing bonded soi wafer
WO2017212812
Art A1
14. Dezember 2017
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017212812
- Aktenzeichen
- EP17809994
- Anmeldetag
- 25. April 2017
- Veröffentlichung
- 14. Dezember 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/02H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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