Nitrogen-doped graphene film and method for producing same

WO2017213045 Art A1 14. Dezember 2017

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017213045
Aktenzeichen: EP17810223
Anmeldetag: 2. Juni 2017
Veröffentlichung: 14. Dezember 2017
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/26C01B32/182H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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