Method for etching copper layer

WO2017213193 Art A1 14. Dezember 2017

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017213193
Aktenzeichen: EP17810367
Anmeldetag: 7. Juni 2017
Veröffentlichung: 14. Dezember 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065C23F4/00H01L21/3205H01L21/3213H01L21/768H01L23/532H05H1/46

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von