Verfahren zur Herstellung eines Laserdiodenbarrens und Laserdiodenbarren

WO2017216157 Art A1 21. Dezember 2017

Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017216157
Aktenzeichen: EP17729864
Anmeldetag: 13. Juni 2017
Veröffentlichung: 21. Dezember 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/00H01S5/042H01S5/40H01S5/022H01S5/024H01S5/22H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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