Substrate processing method and method for removing boron-added silicon

WO2017217087 Art A1 21. Dezember 2017

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017217087
Aktenzeichen: EP17812993
Anmeldetag: 30. März 2017
Veröffentlichung: 21. Dezember 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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