Field-effect transistor capable of self-recovery against radiation damage and damage recovery system thereof

WO2017217620 Art A1 21. Dezember 2017

Anmelder: Korea Advanced Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017217620
Aktenzeichen: EP16905604
Anmeldetag: 2. Dezember 2016
Veröffentlichung: 21. Dezember 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/324H01L29/423H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Advanced Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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