Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

WO2017221546 Art A1 28. Dezember 2017

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017221546
Aktenzeichen: EP17815017
Anmeldetag: 25. April 2017
Veröffentlichung: 28. Dezember 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/329H01L21/265H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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