Magnetoresistive element in which i-iii-vi2 compound semiconductor is used, method for manufacturing said magnetoresistive element, and magnetic storage device and spin transistor in which said magnetoresistive element is used
WO2017222038
Art A1
28. Dezember 2017
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2017222038
- Aktenzeichen
- EP17815503
- Anmeldetag
- 23. Juni 2017
- Veröffentlichung
- 28. Dezember 2017
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L43/10G11B5/39H01F10/13H01F10/16H01F10/30H01L29/82H01L43/08H01L43/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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