Amorphous Silicon Layer in Memory Device Which Reduces Neighboring Word Line Interference

WO2017222605 Art A1 28. Dezember 2017

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2017222605
Aktenzeichen: EP17710084
Anmeldetag: 21. Februar 2017
Veröffentlichung: 28. Dezember 2017
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L29/788H01L29/792H01L27/11548H01L27/11563H01L27/11556H01L27/11582

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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