Method for fabricating metal oxide using sputtering device

WO2018002764 Art A1 4. Januar 2018

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018002764
Aktenzeichen: EP17819440
Anmeldetag: 16. Juni 2017
Veröffentlichung: 4. Januar 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34C23C14/08H01L21/336H01L21/363H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von