Copper oxide thin film structure using flawless single crystal copper thin film, and manufacturing method therefor

WO2018004280 Art A1 4. Januar 2018

Anmelder: Pusan National University Industry-University Cooperation Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018004280
Aktenzeichen: EP17820556
Anmeldetag: 29. Juni 2017
Veröffentlichung: 4. Januar 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/16H01L21/28H01L21/324H01L21/02C23C14/58C23C14/18C23C14/34C23C8/10

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Pusan National University Industry-University Cooperation Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Pusan National University Industry-University Cooperation Foundation

Die Pusan National University Industry-University Cooperation Foundation ist die Transfereinrichtung einer südkoreanischen staatlichen Universität. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik sowie Mess-, Halbleiter- und Kunststofftechnik, ergänzt durch organische Chemie. Die Anmeldungen von 2002 bis 2025 betreffen unter anderem Sensoren für Nanokunststoffe und Kristallzuchtverfahren.

293 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von