3D Nand Structures Including Group Iii-N Material Channels
WO2018004581
Art A1
4. Januar 2018
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018004581
- Aktenzeichen
- EP16907543
- Anmeldetag
- 30. Juni 2016
- Veröffentlichung
- 4. Januar 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/115
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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