Techniques for monolithic co-integration of thin-film bulk acoustic resonator devices and iii-n semiconductor transistor devices

WO2018004669 Art A1 4. Januar 2018

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2018004669
Aktenzeichen
EP16907619
Anmeldetag
1. Juli 2016
Veröffentlichung
4. Januar 2018
Rechtsraum
WO
IPC
H03H9/17H01L41/083
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
INTEL Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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