Cvd based oxide-metal multi structure for 3d nand memory devices

WO2018005376 Art A1 4. Januar 2018

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018005376
Aktenzeichen: EP17821021
Anmeldetag: 26. Juni 2017
Veröffentlichung: 4. Januar 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01J37/32H01L21/324H01L27/11551

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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