Resistive random access memory (rram) with multicomponent oxides

WO2018009157 Art A1 11. Januar 2018

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018009157
Aktenzeichen: EP16908280
Anmeldetag: 2. Juli 2016
Veröffentlichung: 11. Januar 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00G11C13/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.645 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von