Germanium transistor structure with underlap tip to reduce gate induced barrier lowering/short channel effect while minimizing impact on drive current

WO2018009163 Art A1 11. Januar 2018

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018009163
Aktenzeichen: EP16908286
Anmeldetag: 2. Juli 2016
Veröffentlichung: 11. Januar 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/02H01L29/66H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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