Sputtering target and method for manufacturing the same
WO2018011645
Art A1
18. Januar 2018
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018011645
- Aktenzeichen
- EP17827069
- Anmeldetag
- 16. Juni 2017
- Veröffentlichung
- 18. Januar 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/34C04B35/01G02F1/1368H01L21/336H01L21/363H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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