N-type semiconductor layer, thermoelectric conversion layer, thermoelectric conversion element, thermoelectric conversion module, and composition for forming n-type semiconductor layer

WO2018012370 Art A1 18. Januar 2018

Anmelder: FUJI-FILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018012370
Aktenzeichen: EP17827498
Anmeldetag: 5. Juli 2017
Veröffentlichung: 18. Januar 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L35/22B82Y30/00C01B32/159C01B32/174H01L35/24H01L51/00H01L51/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJI-FILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

21.752 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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