Method for producing semiconductor substrate with p-type diffusion layer, semiconductor substrate with p-type diffusion layer, method for producing solar cell element, and solar cell element

WO2018012547 Art A1 18. Januar 2018

Anmelder: Hitachi Chemical Company, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018012547
Aktenzeichen: EP17827673
Anmeldetag: 12. Juli 2017
Veröffentlichung: 18. Januar 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/225H01L31/068H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Chemical Company, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi Chemical

Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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