Three-dimensional memory device with select transistor having charge trapping gate dielectric layer and methods of making and operating thereof

WO2018017181 Art A1 25. Januar 2018

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018017181
Aktenzeichen: EP17726767
Anmeldetag: 15. Mai 2017
Veröffentlichung: 25. Januar 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/1157H01L27/11582

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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