Silicon carbide semiconductor substrate, production method for silicon carbide semiconductor substrate, semiconductor device, and production method for semiconductor device

WO2018021575 Art A1 1. Februar 2018

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018021575
Aktenzeichen: EP17834576
Anmeldetag: 28. Juli 2017
Veröffentlichung: 1. Februar 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/12C30B29/36C30B33/04H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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