Non-Volatile Memory With Reduced Variations in Gate Resistance

WO2018022185 Art A1 1. Februar 2018

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2018022185
Aktenzeichen
EP17728424
Anmeldetag
28. Mai 2017
Veröffentlichung
1. Februar 2018
Rechtsraum
WO
IPC
H01L27/11556H01L27/11582H01L29/788H01L29/792
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
SanDisk Technologies LLC
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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