Vertical string of memory cells individually comprising a programmable charge storage transistor comprising a control gate and a charge storage structure and method of forming a vertical string of memory cells individually comprising a programmable charge storage transistor comprising a control gate and a charge storage structure
WO2018026670
Art A1
8. Februar 2018
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018026670
- Aktenzeichen
- EP17837449
- Anmeldetag
- 31. Juli 2017
- Veröffentlichung
- 8. Februar 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/11556H01L27/11524
Abstract
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Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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