Stacking fault-free semipolar and nonpolar gan grown on foreign substrates by eliminating the nitrogen polar facets during the growth
WO2018031876
Art A1
15. Februar 2018
Anmelder: Yale University 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2018031876
- Aktenzeichen
- EP17840331
- Anmeldetag
- 11. August 2017
- Veröffentlichung
- 15. Februar 2018
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/02H01L21/306H01L21/308H01L33/32C30B25/18C30B29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yale University
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Yale University
US-amerikanische private Forschungsuniversität in New Haven, Connecticut, gegründet 1701.
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