Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

WO2018034250 Art A1 22. Februar 2018

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018034250
Aktenzeichen: EP17841473
Anmeldetag: 10. August 2017
Veröffentlichung: 22. Februar 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/28H01L21/322H01L21/336H01L21/76H01L29/06H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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