Method of metal filling recessed features in a substrate

WO2018035120 Art A1 22. Februar 2018

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018035120
Aktenzeichen: EP17841990
Anmeldetag: 15. August 2017
Veröffentlichung: 22. Februar 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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