Methods for fabricating iii-nitride tunnel junction devices

WO2018035324 Art A1 22. Februar 2018

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018035324
Aktenzeichen: EP17842121
Anmeldetag: 17. August 2017
Veröffentlichung: 22. Februar 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L29/06H01L31/0304H01L33/04H01L33/06H01L33/14H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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