Magnesium Zinc Oxide-Based High Voltage Thin Film Transitor

WO2018035502 Art A1 22. Februar 2018

Anmelder: Rutgers, The State University of New Jersey 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018035502
Aktenzeichen: EP17842246
Anmeldetag: 18. August 2017
Veröffentlichung: 22. Februar 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/08H01L21/336H01L21/385H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rutgers, The State University of New Jersey
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Rutgers, The State University of New Jersey

Rutgers, The State University of New Jersey ist eine öffentliche US-Universität mit umfangreicher Forschung in Medizin und Naturwissenschaften. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Pharma und organische Chemie, ergänzt durch Mess- und Softwarethemen. Anmeldungen sind von 2000 bis in die Gegenwart belegt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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