Metal-insulator-semiconductor transistors with gate-dielectric/semiconductor interfacial protection layer

WO2018036413 Art A1 1. März 2018

Anmelder: The Hong Kong University of Science and Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018036413
Aktenzeichen: EP17842836
Anmeldetag: 16. August 2017
Veröffentlichung: 1. März 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Hong Kong University of Science and Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 The Hong Kong University of Science and Technology

The Hong Kong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit breiter naturwissenschaftlicher und technischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf Medizintechnik, organische Chemie und Halbleiterbauelemente, ergänzt um Farben, Messtechnik und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen von 2002 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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