Charged particle beam device and aberration correction method for charged particle beam device

WO2018037474 Art A1 1. März 2018

Anmelder: Hitachi High-Technologies Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018037474
Aktenzeichen: EP16914149
Anmeldetag: 23. August 2016
Veröffentlichung: 1. März 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/153

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi High-Technologies Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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