Silicon single crystal wafer production method, silicon epitaxial wafer production method, silicon single crystal wafer, and silicon epitaxial wafer

WO2018037755 Art A1 1. März 2018

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018037755
Aktenzeichen: EP17843242
Anmeldetag: 13. Juli 2017
Veröffentlichung: 1. März 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06C30B15/04H01L21/304H01L21/322

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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