Resistivity standard sample manufacturing method and epitaxial wafer resistivity measuring method

WO2018037831 Art A1 1. März 2018

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018037831
Aktenzeichen: EP17843317
Anmeldetag: 28. Juli 2017
Veröffentlichung: 1. März 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/66G01N27/00G01N27/04G01N27/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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