Vertical tunnel field-effect transistor and method for producing same

WO2018038512 Art A1 1. März 2018

Anmelder: Industry - University Cooperation Foundation Hanyang University 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018038512
Aktenzeichen: EP17843932
Anmeldetag: 22. August 2017
Veröffentlichung: 1. März 2018
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/73H01L29/66H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Industry - University Cooperation Foundation Hanyang University
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University

Die Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University ist die Patentverwertungseinrichtung der südkoreanischen Hanyang University in Seoul. Das Portfolio deckt vor allem Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik und Gesundheit ab, ergänzt um Nachrichtentechnik und Software. Anmeldungen laufen kontinuierlich seit 2002.

414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von