Atomic layer deposition equipment and atomic layer deposition method using same

WO2018038547 Art A1 1. März 2018

Anmelder: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2018038547
Aktenzeichen: EP17843967
Anmeldetag: 24. August 2017
Veröffentlichung: 1. März 2018
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/455C23C16/44C23C16/54

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)

Die IUCF-HYU verwaltet Forschungsergebnisse und Patente der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um anorganische Chemie und Software. Anmeldungen reichen von 2002 bis 2025.

503 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von